Postopek RIE (Reactive Ion Etching) je postopek suhega jedkanja, ki se večinoma uporablja v proizvodnji elektronike in mikroelektronike za hitro čiščenje ali aktivacijo površin, za pepeljenje fotorezista ali strukturiranje vezij na polprevodniških rezinah.

V ta namen se običajno uporablja tako imenovani reaktor z ravnimi ploščami, kot je shematično prikazano na sliki 1. Če na elektrode pri negativnem tlaku v območju od 10-2 do 10-1 mbar priključimo visokofrekvenčno izmenično napetost, se vžge nizkotlačna plinska razelektritev (plazma). Zaradi različne gibljivosti nabitih delcev plina v plazmi (težki ioni, lahki elektroni) se na manjši elektrodi ustvari negativni potencial, tako imenovani potencial samoprehodnosti. Ta znaša od nekaj 10 do nekaj 100 voltov.

Pri uporabi ustreznih procesnih plinov se na substratih (rezine, plošče tiskanega vezja itd.), ki ležijo na manjši elektrodi, pojavita dva učinka:

1. Kemično odstranjevanje površine substrata ali obstoječih nečistoč z reakcijo z reaktivnimi delci iz plazme (plazemsko jedkanje)
2. Fizično odstranjevanje z neposrednim prenosom navora ionov, pospešenih v električnem polju, na površino (jedkanje z razprševanjem)

Postopek RIE združuje prednosti obeh učinkov - visoko selektivnost, visoko hitrost jedkanja in anizotropno odstranjevanje.